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5310東洋炭素(株)

【注目】2018年も絶好調の凄い株サイト見つけたので紹介しておきます!

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(09:07)
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(01/23)
3085~4485
単元株数 100株 最低購入代金 378,500円

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01/19 株ブログ・おすすめ株で投資アドバイス|20年現役ファンドマネージャーの株式情報 いよいよ個別銘柄のタイミングとなってきました。 4.44% 3.33% +7.63

2chスレ まとめ

874: 01/11 09:13 銘柄: 5310 |山師さん |DyWN5l3O.net
東洋炭素 ↑
【急騰】今買えばいい株9547【雪ミク】

yahoo掲示板(yahoo textream)のトピック

No.163 [投稿者:アマナ好き]
2018/01/20 10:53

この日本株の上昇相場では売ったら負けだと思います!
No.162 [投稿者:defpon]
2018/01/19 17:40

私も売りそうになりました。
売らなくて正解でした。
No.161 [投稿者:mr_*****]
2018/01/19 15:21

もうすぐ4000=^_^=
No.160 [投稿者:mas*****]
2018/01/19 11:38

昨日、狼狽しそうになったが、我慢してよかった
No.159 [投稿者:cha*****]
2018/01/19 11:20

大丈夫だ‼️\(^-^)/
No.157 [投稿者:cha*****]
2018/01/16 18:07

東洋炭素の素晴らしさ 報道してほしいわ∼∼∼
('ー')/~~
No.156 [投稿者:mr_*****]
2018/01/16 15:03

あは。
売り屋もわきまえてる(;一_一)
しかし明日には・・
No.155 [投稿者:mr_*****]
2018/01/16 14:38

売り屋に負けず・・
3875以上で引けると、実態高値更新ですよ~
No.154 [投稿者:mr_*****]
2018/01/11 18:09

どうしても連想してしまう (;一_一)
へんてこなチャートを作る売屋。
No.153 [投稿者:mr_*****]
2018/01/11 15:03

言わんこっちゃない=^_^=
No.152 [投稿者:mr_*****]
2018/01/11 13:54

3800以下を死守する売り屋(証券自己)。
談合しないとムリだよ。
事故だと思ってね。
No.151 [投稿者:cg5*****]
2018/01/11 05:55


Intel第8世代CoreプロセッサにAMDのRadeon GPU 裏側

There is only here to search on the internet
No.150 [投稿者:mr_*****]
2018/01/10 19:16

短期HFか、証券体がイジってる感。
No.149 [投稿者:cha*****]
2018/01/10 11:02

逆行高〰️は いいもんだ‼️
気持ちいい∼∼
No.148 [投稿者:mob*****]
2018/01/09 12:19

4000円目指してGO
他のカーボン関連に比べて明らかに出遅れているし
No.147 [投稿者:mr_*****]
2018/01/09 10:11

細かいこと言うと解釈がちょっと違うとこありますが、まあそういう考えで良いと思います。
さて、3915突破も時間の問題ですかね。
No.146 [投稿者:gpl*****]
2018/01/09 10:03

>IGBTの場合、耐電圧はSi-MOSFETより高い(内部PNPバイポーラパワートランジスタに依存)ですが、何個並列にしようが、内部構造がPNPトランジスタとの組み合わせ(インバーテッドダーリントン接続という)なのでロス電圧(飽和電圧≒ダイオード1個分以上でON抵抗とは別物。電流ゼロ付近でも電圧ゼロにならない)が発生します。この飽和電圧はいくつ並列にしようが変わりません。さらにバイポーラトランジスタ特有の蓄積効果で、高周波スイッチングにも弱いのです。

IGBTで効率を上げるにはコレクタ・エミッタ間の電圧を限界まで上げて使うんでしょうけど、それでも容量が足りない場合は並列にするんですね。でも、並列にしても効率は上がらない。SiCはこの耐圧が高いのでIGBTに仕立てても高効率化できるというわけなんでございますね。SiCの場合はバンドギャップが広いので飽和電圧も高くなりますが、それを上回る高耐圧特性を持っているということですか。
No.145 [投稿者:mr_*****]
2018/01/08 23:49

Si-MOSFETの多数並列接続は言われるように、大きな入力キャパシタンスに充放電にエネルギーが取られます。
ON抵抗を1/10にするには10個の並列が必要で、コスト的に体積的にもメリットがなくなります。
そして耐電圧は変わりませんから、更に直列接続が必要になってきます。そうするとON抵抗も増えて・・・
(前投稿で言ったように、Si-MOSFETのON抵抗は耐電圧の2~2.5乗に比例します)。

IGBTの場合、耐電圧はSi-MOSFETより高い(内部PNPバイポーラパワートランジスタに依存)ですが、何個並列にしようが、内部構造がPNPトランジスタとの組み合わせ(インバーテッドダーリントン接続という)なのでロス電圧(飽和電圧≒ダイオード1個分以上でON抵抗とは別物。電流ゼロ付近でも電圧ゼロにならない)が発生します。この飽和電圧はいくつ並列にしようが変わりません。さらにバイポーラトランジスタ特有の蓄積効果で、高周波スイッチングにも弱いのです。

SiC-MOSFETは耐電圧を2倍にしてもON抵抗を1/100にすることが可能で、かつ高周波にも強いのです。
さらにシリコン系半導体よりチップ耐熱温度が大きいので放熱器も小型化できます。(シリコン系で150℃(最大ジャンクション温度という)、SiCでは200℃以上ある)。
ttp://www.rohm.co.jp/web/japan/sic_what3-j

たしかにSiC半導体は期待先行の部分あります。
もう少し様子見もいいかも知れません。
ただ株価は待ってくれないかも =^_^=
No.144 [投稿者:gpl*****]
2018/01/08 22:09

御存知の通り、シリコンMOSFETやIGBTも、並列にすればいくらでもオン抵抗を減らすことができます。ただ、並列にすると駆動電流も増えるのでトータルで省エネにならない場合もあるんですね。SiCやGaNなど化合物半導体はシリコンの限界を打ち破る特性が実現できるので回路の小型化や省エネ化が進展するんですね。確かにEVの時代には大きな需要が産まれますが、シリコンデバイスの方も地道に進歩していますから単純にSiCマンセーとも言えないんですよね。EVもいつ来るか分からないし。信越化学やSUMCOがSiCウエハに手を出さないのもそういう事情があるんだと思います。難しいですね。
No.143 [投稿者:mr_*****]
2018/01/08 16:21

現時点で、メインがシリコンなのはそのとうり。

SiC半導体(SiC-MOSFET)が儲からないのはコストが高いからです。記憶では10年ほど前、SiC-FETが出始めたころ、同サイズのSi-FETと比較すると約5倍以上の単価でした。現在は2~3倍くらいでしょうか。
コスト高 → 使われない → コストを下げる設備投資もできない。
しかし状況が変わってきました。世界的EV化の流れ・・SiCを使わざるを得なくなってきているのです。
だから最近になってメディアが騒ぎ出しています。

過去、液晶FDPは出始めのころ非常に高価でした。しかし地デジ開始などをきっかけに急速に伸び始め、メーカーも巨大ガラス基板製造設備など設備投資を積極化しました。その結果、価格は・・普及は・・
将来のことはわかりませんが、SiCも同じ道をたどることになると思います。
ポイントは、結晶欠陥のない8インチウエハの開発、多少欠陥あっても逃げる技術、歩留まりを改善し高性能化する表面処理技術・・・などなど。
No.142 [投稿者:gpl*****]
2018/01/08 10:24

連投失礼。他にSiCと言えばロームですが、こちらも決算書を見ると伸び悩んでいますね。SiCというのは象徴みたいなもので、メインは単結晶シリコン素子なんですね。。

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